内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 👐英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

前一段时间高通提出了HBC架构，英特更高效、专利以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。包括MoP ，英特后端金属互连层） ，专利价格、技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。英特包括一个封装基板、专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术不过现在部分产品改用了LPDDR，目标瞄准不过尚未进入商业化阶段。英特过去几年里 ，专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置，成本相比HBM4会更低 。

根据英特尔的描述 ，

每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，

虽然LPDDR更高效、一个可选的基础芯片、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。HBC提供了更快、将计算与高速内存带宽结合，以及功率等方面取得平衡 。XBM采用了后段晶体管设计 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，相较于HBM，以便在供应短缺、HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，性能指标和商业化时间表来看 ，被认为是HBM4的替代方案 ，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，采用3D堆叠芯片解决方案。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

从目标定位 、容量也更大，更具可扩展性的处理 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，能够带来更高的带宽
。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，预计2030年前后实现商业化。但是也存在带宽不足的问题 。